位於京畿道富川市遠美區的 SUNGSAN（代表：金承泰）在高功率功率放大器（Broadband High Power Amplifier）領域擁有卓越的技術實力。該公司成立於 2002 年，憑藉獲得國際認證的技術力，參與了基礎科學研究院（IBS）主導的國家級重離子加速器（RAON）開發計畫，負責該加速器的核心設備之一——高功率功率放大器（SSPA，Solid State Power Amplifier）的國產化。該公司基於氮化鎵（GaN）元件的廣頻及高功率設計技術，具備獨特的技術優勢與卓越的出口實績。
應用於重離子加速器的功率放大器，由於高功率 RF 元件與輸出功率合成技術長期依賴國外技術，國內開發面臨諸多限制。然而，SUNGSAN 作為韓國型重離子加速器計畫的開發企業之一，成功研發出具備全球競爭力的 20kW～80kW 級功率放大技術。
此外，SUNGSAN 依託其廣頻功率放大器設計技術，在長期由進口設備主導的電磁相容性（EMC）測試設備領域，積極推動國產化進程。近年來，市場需求趨勢亦顯示，高功率放大器在地面與船舶雷達、醫療設備、軍工設備、EMC 測試設備領域的需求持續增加，使 SUNGSAN 的未來發展更受期待。
SUNGSAN 代表 金承泰 表示：「我們已向美國出口約 8 萬台用於電波干擾的 Jammer（干擾器），在氮化鎵（GaN）技術應用於高頻高功率放大器領域擁有全球領先的技術優勢。我們不僅將進一步確保加速器與軍工領域的穩定增長，還將積極應對醫療設備與 EMC 測試設備等民用市場的不斷擴大。」
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