V-Ga2O3
作爲製造高品質IGZO目標的原料，設計成均勻的微結構及高生產率。
應用:IGZO靶、催化劑、功率器件晶片
利用高溫蒸發法制造氧化納米粉末的工藝，與現有的溼法相比，在品質（低絮凝、超微、高純度）、成本（降低1/3以上）、生產效率（縮短20%以上工藝時間）方面具有事業競爭力。
比表面積8~15㎡/g
特點:
低凝集（氣相合成法）
高結晶性
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